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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 54W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100
仓库库存编号:
IXTA1N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 11A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK95180-100A,127
仓库库存编号:
568-9727-5-ND
别名:568-9727-5
934056120127
BUK95180-100A
BUK95180-100A,127-ND
BUK95180-100A-ND
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20
仓库库存编号:
IRFBE20-ND
别名:*IRFBE20
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20
仓库库存编号:
IRFBF20-ND
别名:*IRFBF20
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20
仓库库存编号:
IRFBG20-ND
别名:*IRFBG20
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TF
仓库库存编号:
FCD5N60TFCT-ND
别名:FCD5N60TFCT
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI540N
仓库库存编号:
IRLI540N-ND
别名:*IRLI540N
规格:功率耗散(最大值) 54W(Tc),
含铅
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