规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N30TM
仓库库存编号:
FQB7N30TM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3P50TM
仓库库存编号:
FQB3P50TM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3P50TU
仓库库存编号:
FQI3P50TU-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N80TU
仓库库存编号:
FQI2N80TU-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N50TM
仓库库存编号:
FQB5N50TM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N90TU
仓库库存编号:
FQI2N90TU-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N90TM
仓库库存编号:
FQB2N90TM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 400V 3.5A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4P40TU
仓库库存编号:
FQI4P40TU-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 3.5A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4P40TM
仓库库存编号:
FQB4P40TM-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N80TM
仓库库存编号:
FQB2N80TM-ND
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