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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 480W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA69N25
  仓库库存编号：FDA69N25-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N10T
  仓库库存编号：IXTP180N10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N10T
  仓库库存编号：IXTA180N10T-ND
  别名：615943
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N10T
  仓库库存编号：IXTQ180N10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH180N10T
  仓库库存编号：IXTH180N10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ460P2
  仓库库存编号：IXTQ460P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39F60J
  仓库库存编号：APT39F60J-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP270N06T3
  仓库库存编号：IXFP270N06T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA270N06T3
  仓库库存编号：IXFA270N06T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 480W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH270N06T3
  仓库库存编号：IXFH270N06T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA460P2
  仓库库存编号：IXTA460P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP300N04T2
  仓库库存编号：IXTP300N04T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51M50J
  仓库库存编号：APT51M50J-ND
  别名：APT51M50JMI
  APT51M50JMI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51F50J
  仓库库存编号：APT51F50J-ND
  别名：APT51F50JMI
  APT51F50JMI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA110N15T2
  仓库库存编号：IXFA110N15T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP110N15T2
  仓库库存编号：IXFP110N15T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP460P2
  仓库库存编号：IXTP460P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP340N04T4
  仓库库存编号：IXTP340N04T4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA340N04T4
  仓库库存编号：IXTA340N04T4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7
  
  型号：IXTA340N04T4-7
  仓库库存编号：IXTA340N04T4-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA180N10T7
  仓库库存编号：IXTA180N10T7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA300N04T2
  仓库库存编号：IXTA300N04T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP86N20T
  仓库库存编号：IXTP86N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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• IXYS
  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N50P2
  仓库库存编号：IXFQ24N50P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
• 不适用
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH460P2
  仓库库存编号：IXTH460P2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 480W（Tc）,
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