规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N15T2
仓库库存编号:
IXFH110N15T2-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10P
仓库库存编号:
IXTT110N10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH74N20P
仓库库存编号:
IXFH74N20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 42A(Tc) 480W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT39M60J
仓库库存编号:
APT39M60J-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 109A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号:
APTML20UM18R010T1AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227B
型号:
FB180SA10
仓库库存编号:
FB180SA10-ND
别名:*FB180SA10
VS-FB180SA10
VS-FB180SA10-ND
VSFB180SA10
VSFB180SA10-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 480W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS29N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS29N60LPBF-ND
别名:*IRFPS29N60LPBF
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV110N10P
仓库库存编号:
IXFV110N10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV110N10PS
仓库库存编号:
IXFV110N10PS-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 74A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV74N20P
仓库库存编号:
IXFV74N20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 74A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV74N20PS
仓库库存编号:
IXFV74N20PS-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 96A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV96N15P
仓库库存编号:
IXFV96N15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 96A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV96N15PS
仓库库存编号:
IXFV96N15PS-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA200N085T
仓库库存编号:
IXTA200N085T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA200N085T7
仓库库存编号:
IXTA200N085T7-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA220N075T
仓库库存编号:
IXTA220N075T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA220N075T7
仓库库存编号:
IXTA220N075T7-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA240N055T
仓库库存编号:
IXTA240N055T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA240N055T7
仓库库存编号:
IXTA240N055T7-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N085T
仓库库存编号:
IXTH200N085T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 220A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 220A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH220N075T
仓库库存编号:
IXTH220N075T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 240A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH240N055T
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IXTH240N055T-ND
规格:功率耗散(最大值) 480W(Tc),
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MOSFET N-CH 85V 200A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 200A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP200N085T
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MOSFET N-CH 75V 220A TO-220
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