规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZLPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZLPBF-ND
别名:*IRF1405ZLPBF
SP001570006
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3306PBF
仓库库存编号:
IRFB3306PBF-ND
别名:SP001556002
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75542P3
仓库库存编号:
HUF75542P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N10T
仓库库存编号:
IXTA80N10T-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-247
型号:
TK31N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK31N60WS1VF-ND
别名:TK31N60W,S1VF(S
TK31N60WS1VF
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名:IRF2807STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 173A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7537PBF
仓库库存编号:
IRFB7537PBF-ND
别名:64-0102PBF
64-0102PBF-ND
SP001570828
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1404ZPBF
仓库库存编号:
IRL1404ZPBF-ND
别名:*IRL1404ZPBF
64-0081PBF
64-0081PBF-ND
SP001576516
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB4410ZGPBF-ND
别名:SP001554600
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60WS1VQ-ND
别名:TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP33NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4647-ND
别名:1727-4647
568-5764
568-5764-5
568-5764-5-ND
568-5764-ND
934058107127
PHP33NQ20T
PHP33NQ20T,127-ND
PHP33NQ20T-ND
PHP33NQ20T127
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3306PBF
仓库库存编号:
IRFSL3306PBF-ND
别名:SP001568072
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 173A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7537TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7537TRLPBFCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7437PBF
仓库库存编号:
IRFSL7437PBF-ND
别名:SP001578458
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75842P3
仓库库存编号:
HUF75842P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.1A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号:
1727-3057-1-ND
别名:1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9609-75A,118
仓库库存编号:
1727-7189-1-ND
别名:1727-7189-1
568-9676-1
568-9676-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7437TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7437TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9615-100A,118
仓库库存编号:
1727-7190-1-ND
别名:1727-7190-1
568-9678-1
568-9678-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1405ZSTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3307ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3307ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFS3307ZTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK90Z
仓库库存编号:
497-4421-5-ND
别名:497-4421-5
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 260A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB3813PBF
仓库库存编号:
IRLB3813PBF-ND
别名:64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90220E-GE3
仓库库存编号:
SUP90220E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM90220E-GE3
仓库库存编号:
SUM90220E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 230W(Tc),
无铅
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