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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
C2M1000170J
仓库库存编号：
C2M1000170J-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名：BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC109N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC265N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5N50NZ
仓库库存编号：
FDP5N50NZ-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC252N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC252N10NSF GCT
BSC252N10NSF GCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
SIHU6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHU6N65E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
型号：
SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD7N60E-GE3-ND
别名：SIHD7N60EGE3
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD6N62E-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N62E-GE3-ND
别名：SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD5N40
仓库库存编号：
785-1360-1-ND
别名：785-1360-1
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 78W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6144
仓库库存编号：
800-3746-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH5200FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH5200FNHL1QCT-ND
别名：TPH5200FNHL1QCT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65E-GE3-ND
别名：SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP7N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP7N60E-GE3-ND
别名：SIHP7N60EGE3
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
IXTP32N65XM
仓库库存编号：
IXTP32N65XM-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-263
型号：
R6007KNJTL
仓库库存编号：
R6007KNJTLCT-ND
别名：R6007KNJTLCT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1R712MD,L1Q
仓库库存编号：
TPH1R712MDL1QCT-ND
别名：TPH1R712MDL1QCT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH2900ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPH2900ENHL1QCT-ND
别名：TPH2900ENHL1QCT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 78W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF02N450
仓库库存编号：
IXTF02N450-ND
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名：SIHB6N65E-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM061NA03CR RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM061NA03CR RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM061NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM061NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM061NA03CR RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 620V
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N62ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N62ET1-GE3CT-ND
别名：SIHD6N62ET1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD9N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD9N60E-GE3CT-ND
别名：SIHD9N60E-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 78W（Tc）,
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