规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(307)
分立半导体产品
(307)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (1)
Infineon Technologies (110)
IXYS (2)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (32)
ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (143)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75829D3S
仓库库存编号:
HUFA75829D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76629D3ST
仓库库存编号:
HUFA76629D3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75829D3ST
仓库库存编号:
HUFA75829D3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76429P3
仓库库存编号:
HUFA76429P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3S
仓库库存编号:
HUFA76429S3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76429S3S
仓库库存编号:
HUF76429S3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3ST
仓库库存编号:
HUFA76429S3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 50A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP50N05L
仓库库存编号:
RFP50N05L-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44E
仓库库存编号:
IRFZ44E-ND
别名:*IRFZ44E
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ES
仓库库存编号:
IRFZ44ES-ND
别名:*IRFZ44ES
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905
仓库库存编号:
IRLU2905-ND
别名:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402S
仓库库存编号:
IRL3402S-ND
别名:*IRL3402S
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15D
仓库库存编号:
IRFR18N15D-ND
别名:*IRFR18N15D
SP001571432
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU18N15D
仓库库存编号:
IRFU18N15D-ND
别名:*IRFU18N15D
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215
仓库库存编号:
IRFU6215-ND
别名:*IRFU6215
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402
仓库库存编号:
IRL3402-ND
别名:*IRL3402
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44EL
仓库库存编号:
IRFZ44EL-ND
别名:*IRFZ44EL
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号