规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(307)
分立半导体产品
(307)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (1)
Infineon Technologies (110)
IXYS (2)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (32)
ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (143)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU2905ZPBF
仓库库存编号:
IRLU2905ZPBF-ND
别名:*IRLU2905ZPBF
SP001558616
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU13N65M2
仓库库存编号:
497-15574-5-ND
别名:497-15574-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76429D3
仓库库存编号:
HUFA76429D3FS-ND
别名:HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP18N65M2
仓库库存编号:
497-15557-5-ND
别名:497-15557-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 110W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP150N10
仓库库存编号:
FDP150N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP15N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15891-5-ND
别名:497-15891-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
STW18N65M5
仓库库存编号:
497-13283-5-ND
别名:497-13283-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 110W(Tc) TO-247-3
型号:
STW19NM50N
仓库库存编号:
497-10653-5-ND
别名:497-10653-5
STW19NM50N-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215PBF
仓库库存编号:
IRFU6215PBF-ND
别名:*IRFU6215PBF
SP001557816
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44EPBF
仓库库存编号:
IRFZ44EPBF-ND
别名:*IRFZ44EPBF
SP001557776
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2405PBF
仓库库存编号:
IRFU2405PBF-ND
别名:*IRFU2405PBF
64-4137PBF
64-4137PBF-ND
SP001571782
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU16N60M2
仓库库存编号:
497-16025-5-ND
别名:497-16025-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001298000
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 110W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001298004
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGTR-ND
别名:TSM80N950CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGCT-ND
别名:TSM80N950CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGDKR-ND
别名:TSM80N950CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGTR-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGCT-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N1R2CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N1R2CP ROGDKR-ND
别名:TSM80N1R2CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR430APBF
仓库库存编号:
IRFR430APBF-ND
别名:*IRFR430APBF
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU150N3LLH6
仓库库存编号:
497-12693-5-ND
别名:497-12693-5
STU150N3LLH6-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU60N55F3
仓库库存编号:
497-12698-5-ND
别名:497-12698-5
STU60N55F3-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU7N105K5
仓库库存编号:
497-15249-5-ND
别名:497-15249-5
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号