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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA093N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA093N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPA093N06N3 G
  IPA093N06N3 G-ND
  IPA093N06N3G
  SP000451088
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N60NZT
  仓库库存编号：FDPF7N60NZT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF12N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF12N60E-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF380N65FL1
  仓库库存编号：FCPF380N65FL1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB9343PBF
  仓库库存编号：IRLIB9343PBF-ND
  别名：*IRLIB9343PBF
  SP001558256
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA12N60E-E3-ND
  别名：SIHA12N60E-E3CT
  SIHA12N60E-E3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 33W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL2N80K5
  仓库库存编号：497-14539-1-ND
  别名：497-14539-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R800C3
  仓库库存编号：IPA90R800C3-ND
  别名：IPA90R800C3XKSA1
  SP000413718
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS840EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS840EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS840EN-T1-GE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS850EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS850EN-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL
  详细描述：通孔 P 沟道 34A（Tc） 33W（Tc） TO-220FL
  
  型号：AOTF4185
  仓库库存编号：AOTF4185-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12T50PL
  仓库库存编号：785-1712-5-ND
  别名：785-1712-5
  AOTF12T50PL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF10T60PL
  仓库库存编号：785-1651-5-ND
  别名：785-1651-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF12N65E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP02N120P
  仓库库存编号：IXTP02N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY02N120P
  仓库库存编号：IXTY02N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 33W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R2K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R2K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001396820
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 33W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001396816
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
  IPA126N10N3 G
  IPA126N10N3 G-ND
  IPA126N10N3G
  IPA26N10N3GXKSA1-ND
  SP000485964
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA060N06NXKSA1
  仓库库存编号：IPA060N06NXKSA1-ND
  别名：SP001099646
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA12N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA12N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000216322
  SPA12N50C3
  SPA12N50C3IN
  SPA12N50C3IN-ND
  SPA12N50C3X
  SPA12N50C3XK
  SPA12N50C3XTIN
  SPA12N50C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R299CP
  IPA60R299CP-ND
  SP000096438
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R250CP
  IPA60R250CP-ND
  SP000310226
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA11N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000216317
  SPA11N60CFD
  SPA11N60CFD-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001297996
  
  规格：功率耗散（最大值） 33W（Tc）,
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