规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10.3A(Tc) 33W(Tc) DPAK
型号:
PHD3055E,118
仓库库存编号:
PHD3055E,118-ND
别名:934054728118
PHD3055E /T3
PHD3055E /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 33W(Tc) TO-220-3
型号:
IRL610A
仓库库存编号:
IRL610A-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF5N60CYDTU
仓库库存编号:
FQPF5N60CYDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Tc) 33W(Tc) DPAK
型号:
NTD5807NT4G
仓库库存编号:
NTD5807NT4G-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 33W(Tc) TO-252
型号:
IXTY12N06TTRL
仓库库存编号:
IXTY12N06TTRLCT-ND
别名:IXTY12N06TTRLCT
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB9343
仓库库存编号:
IRLIB9343-ND
别名:*IRLIB9343
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10.3A(Tc) 33W(Tc) D2PAK
型号:
PHB11N06LT,118
仓库库存编号:
PHB11N06LT,118-ND
别名:934055182118
PHB11N06LT /T3
PHB11N06LT /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 10.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10.3A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP3055E,127
仓库库存编号:
PHP3055E,127-ND
别名:934050050127
PHP3055E
PHP3055E-ND
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R650CEXKSA1-ND
别名:SP001286432
规格:功率耗散(最大值) 33W(Tc),
无铅
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