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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF06LT4
  仓库库存编号：497-5888-1-ND
  别名：497-5888-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD46N6F7
  仓库库存编号：497-16476-1-ND
  别名：497-16476-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 60W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N05LSM9A
  仓库库存编号：RFD16N05LSM9ACT-ND
  别名：RFD16N05LSM9ACT
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 24A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP6020P
  仓库库存编号：NDP6020P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF06T4
  仓库库存编号：497-6561-1-ND
  别名：497-6561-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9NM40N
  仓库库存编号：497-13426-1-ND
  别名：497-13426-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60W5RVQCT-ND
  别名：TK7P60W5RVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3N80K5
  仓库库存编号：497-14267-1-ND
  别名：497-14267-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9520PBF
  仓库库存编号：IRF9520PBF-ND
  别名：*IRF9520PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP12N10L
  仓库库存编号：RFP12N10L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520PBF
  仓库库存编号：IRL520PBF-ND
  别名：*IRL520PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ24PBF
  仓库库存编号：IRFZ24PBF-ND
  别名：*IRFZ24PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N60M2
  仓库库存编号：497-13978-5-ND
  别名：497-13978-5
  STU6N60M2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N60M2
  仓库库存编号：497-13975-5-ND
  别名：497-13975-5
  STP7N60M2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z24PBF
  仓库库存编号：IRF9Z24PBF-ND
  别名：*IRF9Z24PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100D2
  仓库库存编号：IXTY08N100D2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50APBF
  仓库库存编号：IRFIB7N50APBF-ND
  别名：*IRFIB7N50APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB6N60APBF
  仓库库存编号：IRFIB6N60APBF-ND
  别名：*IRFIB6N60APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
  
  型号：TK50P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NF10
  仓库库存编号：497-7506-5-ND
  别名：497-7506-5
  STP14NF10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU9HN65M2
  仓库库存编号：497-16026-5-ND
  别名：497-16026-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5N80K5
  仓库库存编号：497-16933-ND
  别名：497-16933
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N65APBF
  仓库库存编号：IRFIB5N65APBF-ND
  别名：*IRFIB5N65APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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