规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Tc) 60W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y102-100B,115
仓库库存编号:
1727-4603-1-ND
别名:1727-4603-1
568-5513-1
568-5513-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 47A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
BUK6213-30C,118
仓库库存编号:
1727-5506-1-ND
别名:1727-5506-1
568-6984-1
568-6984-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
BUK6218-40C,118
仓库库存编号:
1727-5509-1-ND
别名:1727-5509-1
568-6987-1
568-6987-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK560P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK560P60YRQCT-ND
别名:TK560P60YRQCT
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK560P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK560P65YRQCT-ND
别名:TK560P65YRQCT
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK7P65W,RQ
仓库库存编号:
TK7P65WRQCT-ND
别名:TK7P65WRQCT
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL55NH3LL
仓库库存编号:
497-7018-1-ND
别名:497-7018-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 65A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL65N3LLH5
仓库库存编号:
497-8484-1-ND
别名:497-8484-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 640V 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD7NM64N
仓库库存编号:
497-14533-1-ND
别名:497-14533-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL60NH3LL
仓库库存编号:
497-5246-1-ND
别名:497-5246-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU75N3LLH6
仓库库存编号:
497-12701-5-ND
别名:497-12701-5
STU75N3LLH6-ND
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU7N60M2
仓库库存编号:
497-13979-5-ND
别名:497-13979-5
STU7N60M2-ND
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP75N3LLH6
仓库库存编号:
497-11336-5-ND
别名:497-11336-5
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N65M2
仓库库存编号:
497-15042-5-ND
别名:497-15042-5
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU2N105K5
仓库库存编号:
497-15282-5-ND
别名:497-15282-5
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 54A
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD64N4F6AG
仓库库存编号:
497-16304-1-ND
别名:497-16304-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL60N3LLH5
仓库库存编号:
497-11094-1-ND
别名:497-11094-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9HN65M2
仓库库存编号:
497-16036-1-ND
别名:497-16036-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD47N10F7AG
仓库库存编号:
497-16303-1-ND
别名:497-16303-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P65W,RQ
仓库库存编号:
TK6P65WRQCT-ND
别名:TK6P65WRQCT
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD7N60M2
仓库库存编号:
497-13941-1-ND
别名:497-13941-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD5N80K5
仓库库存编号:
497-16929-1-ND
别名:497-16929-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N60M2
仓库库存编号:
497-13934-1-ND
别名:497-13934-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL50NH3LL
仓库库存编号:
497-4114-1-ND
别名:497-4114-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD6N65M2
仓库库存编号:
497-15049-1-ND
别名:497-15049-1
规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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