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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24PBF
  仓库库存编号：IRLZ24PBF-ND
  别名：*IRLZ24PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6030BL
  仓库库存编号：FDP6030BL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20NF06LAG
  仓库库存编号：497-17143-1-ND
  别名：497-17143-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD36P4LLF6
  仓库库存编号：497-16034-1-ND
  别名：497-16034-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V KPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4LN80K5
  仓库库存编号：497-17290-1-ND
  别名：497-17290-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N90K5
  仓库库存编号：497-17069-1-ND
  别名：497-17069-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU60N3LH5
  仓库库存编号：497-12697-5-ND
  别名：497-12697-5
  STU60N3LH5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4LN80K5
  仓库库存编号：497-17294-ND
  别名：497-17294
  STP4LN80K5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF06L
  仓库库存编号：497-4375-5-ND
  别名：497-4375-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 40V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD40P3LLH6
  仓库库存编号：STD40P3LLH6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 120V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP14NF12
  仓库库存编号：STP14NF12-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU9N60M2
  仓库库存编号：497-13886-5-ND
  别名：497-13886-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU4N80K5
  仓库库存编号：497-14578-5-ND
  别名：497-14578-5
  STU4N80K5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N65M2
  仓库库存编号：497-15040-5-ND
  别名：497-15040-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL90N3LLH6
  仓库库存编号：497-10991-1-ND
  别名：497-10991-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6228-55C,118
  仓库库存编号：1727-5511-1-ND
  别名：1727-5511-1
  568-6989-1
  568-6989-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6246-75C,118
  仓库库存编号：BUK6246-75C,118-ND
  别名：934065904118
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：TK2P60D(TE16L1,NQ)
  仓库库存编号：TK2P60D(TE16L1NQ)-ND
  别名：TK2P60D(TE16L1NQ)
  TK2P60DTE16L1NQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK3P50D,RQ(S
  仓库库存编号：TK3P50DRQ(S-ND
  别名：TK3P50DRQ(S
  TK3P50DRQS
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL520LPBF
  仓库库存编号：IRL520LPBF-ND
  别名：*IRL520LPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A103PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A103PZT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A107PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A107PLZT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A113PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A113PLZT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 70A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP108-TL-H
  仓库库存编号：ATP108-TL-HOSTR-ND
  别名：869-1076-2
  869-1076-2-ND
  ATP108-SPL
  ATP108-TL-HOSTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：TK2Q60D(Q)
  仓库库存编号：TK2Q60D(Q)-ND
  别名：TK2Q60DQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 60W（Tc）,
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