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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL120N2VH5
  仓库库存编号：497-12978-1-ND
  别名：497-12978-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL85N6F3
  仓库库存编号：497-10882-1-ND
  别名：497-10882-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL80N75F6
  仓库库存编号：497-12981-1-ND
  别名：497-12981-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL35N15F3
  仓库库存编号：497-11208-1-ND
  别名：497-11208-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 80W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4177-DL-1E
  仓库库存编号：2SK4177-DL-1EOSCT-ND
  别名：2SK4177-DL-1EOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P G
  仓库库存编号：SPD18P06P GCT-ND
  别名：SPD18P06P GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ44ZSTRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP45NF06
  仓库库存编号：497-3189-5-ND
  别名：497-3189-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP4N65X2
  仓库库存编号：IXTP4N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N65X2
  仓库库存编号：IXTA4N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NH02LT4
  仓库库存编号：497-3515-1-ND
  别名：497-3515-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK8Q65WS1Q-ND
  别名：TK8Q65W,S1Q(S
  TK8Q65WS1Q
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF06T4
  仓库库存编号：497-3159-1-ND
  别名：497-3159-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896_F085
  仓库库存编号：FDB8896_F085CT-ND
  别名：FDB8896_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896
  仓库库存编号：FDB8896CT-ND
  别名：FDB8896CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRLZ44Z
  仓库库存编号：AUIRLZ44Z-ND
  别名：SP001522994
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），92A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8896
  仓库库存编号：FDP8896-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N65X2
  仓库库存编号：IXTY4N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60W5RVQCT-ND
  别名：TK8P60W5RVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD40NF03LT4
  仓库库存编号：STD40NF03LT4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL150N3LLH6
  仓库库存编号：497-10419-1-ND
  别名：497-10419-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL75N8LF6
  仓库库存编号：497-11252-1-ND
  别名：497-11252-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P50D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P50D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P50DT6RSSQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P53D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P53D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P53DT6RSSQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD6N60CTM_WS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 80W（Tc）,
• 无铅
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