规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 2A(Ta) 80W(Tc) SMP-FD
型号:
2SK4177-E
仓库库存编号:
2SK4177-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 12A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3215
仓库库存编号:
IRL3215-ND
别名:*IRL3215
SP001558002
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZS
仓库库存编号:
IRLZ44ZS-ND
别名:*IRLZ44ZS
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44Z
仓库库存编号:
IRFZ44Z-ND
别名:*IRFZ44Z
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ZS
仓库库存编号:
IRFZ44ZS-ND
别名:*IRFZ44ZS
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44ZL
仓库库存编号:
IRFZ44ZL-ND
别名:*IRFZ44ZL
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ44Z
仓库库存编号:
IRLZ44Z-ND
别名:*IRLZ44Z
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44ZL
仓库库存编号:
IRLZ44ZL-ND
别名:*IRLZ44ZL
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44ZLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZLPBF-ND
别名:*IRLZ44ZLPBF
SP001558596
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P
仓库库存编号:
SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44ZS
仓库库存编号:
AUIRFZ44ZS-ND
别名:SP001518774
规格:功率耗散(最大值) 80W(Tc),
无铅
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