规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(31)
分立半导体产品
(31)
筛选品牌
Infineon Technologies (4)
IXYS (13)
STMicroelectronics (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW15NK90Z
仓库库存编号：
497-3557-5-ND
别名：497-3557-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW55NM60ND
仓库库存编号：
497-7036-5-ND
别名：497-7036-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247-4L
型号：
STW56N60M2-4
仓库库存编号：
497-15578-5-ND
别名：497-15578-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW54NM65ND
仓库库存编号：
497-12370-ND
别名：497-12370
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 350W（Tc） D2PAK-7
型号：
IRFS4321TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS4321TRL7PPCT-ND
别名：IRFS4321TRL7PPCT
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4321PBF
仓库库存编号：
IRFB4321PBF-ND
别名：SP001577790
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ22N50P
仓库库存编号：
IXTQ22N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N50P
仓库库存编号：
IXFH22N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4321TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4321TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4321TRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 350W（Tc） TO-247
型号：
STW56N60M2
仓库库存编号：
497-15577-5-ND
别名：497-15577-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK100Z
仓库库存编号：
497-3556-5-ND
别名：497-3556-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP76N15T2
仓库库存编号：
IXFP76N15T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP62N15P
仓库库存编号：
IXTP62N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA62N15P
仓库库存编号：
IXTA62N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ62N15P
仓库库存编号：
IXTQ62N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 76A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 350W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA76N15T2
仓库库存编号：
IXFA76N15T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH22N50P
仓库库存编号：
IXTH22N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 350W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR21N100Q
仓库库存编号：
IXFR21N100Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 700V 20A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NK70Z
仓库库存编号：
497-3559-5-ND
别名：497-3559-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 19A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW18NK80Z
仓库库存编号：
497-4423-5-ND
别名：497-4423-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW28NK60Z
仓库库存编号：
497-4424-5-ND
别名：497-4424-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW29NK50Z
仓库库存编号：
497-4425-5-ND
别名：497-4425-5
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW200NF03
仓库库存编号：
STW200NF03-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 29A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW29NK50ZD
仓库库存编号：
497-5768-ND
别名：497-5768
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW55NM60N
仓库库存编号：
497-7622-5-ND
别名：497-7622-5
STW55NM60N-ND
规格：功率耗散（最大值） 350W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
