规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名：TSM6N50CP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号：
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名：TSM6N50CP ROGDKR
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3704
仓库库存编号：
IRFU3704-ND
别名：*IRFU3704
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704
仓库库存编号：
IRFR3704-ND
别名：*IRFR3704
SP001571518
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TR
仓库库存编号：
IRFR3704TR-ND
别名：SP001573372
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TRL
仓库库存编号：
IRFR3704TRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TRR
仓库库存编号：
IRFR3704TRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N10
仓库库存编号：
SPP21N10IN-ND
别名：SP000013842
SPP21N10IN
SPP21N10X
SPP21N10XTIN
SPP21N10XTIN-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10
仓库库存编号：
SPB21N10INCT-ND
别名：SPB21N10INCT
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504ZTR
仓库库存编号：
IRFR3504ZTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504ZTRL
仓库库存编号：
IRFR3504ZTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504ZTRR
仓库库存编号：
IRFR3504ZTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504Z
仓库库存编号：
IRFU3504Z-ND
别名：*IRFU3504Z
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3704PBF
仓库库存编号：
IRFU3704PBF-ND
别名：*IRFU3704PBF
SP001576342
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3504ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3504ZPBF-ND
别名：*IRFU3504ZPBF
SP001568178
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3704PBFCT-ND
别名：*IRFR3704TRPBF
IRFR3704PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10T
仓库库存编号：
SPB21N10T-ND
别名：SP000013626
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10 G
仓库库存编号：
SPB21N10 G-ND
别名：SP000102171
SPB21N10GXT
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N10
仓库库存编号：
SPI21N10IN-ND
别名：SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR3504Z
仓库库存编号：
AUIRFR3504Z-ND
别名：SP001519606
规格：功率耗散（最大值） 90W（Tc）,
无铅
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