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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP24N08
  仓库库存编号：FQP24N08-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP12P10
  仓库库存编号：FQP12P10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6030PL
  仓库库存编号：NDB6030PLFSCT-ND
  别名：NDB6030PLFSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD850N80Z
  仓库库存编号：FCD850N80ZCT-ND
  别名：FCD850N80ZCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M8R0-40EX
  仓库库存编号：1727-2565-1-ND
  别名：1727-2565-1
  568-13009-1
  568-13009-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M28-80EX
  仓库库存编号：1727-2578-1-ND
  别名：1727-2578-1
  568-13022-1
  568-13022-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M22-80EX
  仓库库存编号：1727-2560-1-ND
  别名：1727-2560-1
  568-13004-1
  568-13004-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7821TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7821PBFCT-ND
  别名：*IRLR7821TRPBF
  IRLR7821PBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ32 H
  仓库库存编号：BUZ32 H-ND
  别名：BUZ32H
  BUZ32HXKSA1
  SP000682998
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD22N08S2L50ATMA1
  仓库库存编号：IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
  别名：IPD22N08S2L50ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8N 40V N-CHANNEL LL POWERTRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD9410L_F085
  仓库库存编号：FDD9410L_F085-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS2D4N03S
  仓库库存编号：FDMS2D4N03S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 50A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50N05-11L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N05-11L_GE3-ND
  别名：SQD50N05-11L-GE3
  SQD50N05-11L-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H5N2522LSTL-E
  仓库库存编号：H5N2522LSTL-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 75W（Tc） LPTS
  
  型号：R5011ANJTL
  仓库库存编号：R5011ANJTL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 75W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP14N60PM
  仓库库存编号：IXTP14N60PM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S52R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S52R8ATMA1-ND
  别名：SP001418102
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S5L2R6ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
  别名：SP001418106
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 70A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD70P04P4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD70P04P4L08ATMA1-ND
  别名：SP000840206
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P4L08ATMA1-ND
  别名：SP000840208
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P04P4L08AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P04P4L08AKSA1-ND
  别名：SP000840212
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70P04P409ATMA1
  仓库库存编号：IPB70P04P409ATMA1-ND
  别名：SP000735964
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L08AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L08AKSA1-ND
  别名：SP000840210
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI70P04P409AKSA1
  仓库库存编号：IPI70P04P409AKSA1-ND
  别名：SP000735974
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R195C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R195C7AUMA1-ND
  别名：SP001032726
  
  规格：功率耗散（最大值） 75W（Tc）,
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