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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SCT2120AFC
  仓库库存编号：SCT2120AFC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET NCH 650V 39A TO247N
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 165W（Tc） TO-247N
  
  型号：SCT3060ALGC11
  仓库库存编号：SCT3060ALGC11-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 165W（Tc） TO-247N
  
  型号：SCT3080KLGC11
  仓库库存编号：SCT3080KLGC11-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E80W,S1X
  仓库库存编号：TK12E80WS1X-ND
  别名：TK12E80W,S1X(S
  TK12E80WS1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK17N65W,S1F
  仓库库存编号：TK17N65WS1F-ND
  别名：TK17N65W,S1F(S
  TK17N65WS1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50TM
  仓库库存编号：FDB12N50TMCT-ND
  别名：FDB12N50TMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E65W,S1X
  仓库库存编号：TK17E65WS1X-ND
  别名：TK17E65W,S1X(S
  TK17E65WS1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 32A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40SM120J
  仓库库存编号：APT40SM120J-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG9N65CT
  仓库库存编号：DMG9N65CTDI-ND
  别名：DMG9N65CTDI
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60W5S1VF-ND
  别名：TK20N60W5,S1VF(S
  TK20N60W5S1VF
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N50
  仓库库存编号：FDP12N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：SCT2160KEC
  仓库库存编号：SCT2160KEC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK20G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK20G60WRVQCT-ND
  别名：TK20G60WRVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50FTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50FTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50FTM_WSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMNH4005SCTQ
  仓库库存编号：DMNH4005SCTQ-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMNH4005SCT
  仓库库存编号：DMNH4005SCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK20E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK20E60WS1VX-ND
  别名：TK20E60W,S1VX(S
  TK20E60WS1VX
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60WS1VF-ND
  别名：TK20N60W,S1VF(S
  TK20N60WS1VF
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT70SM70J
  仓库库存编号：APT70SM70J-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 36A（Tc） 165W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF62N28
  仓库库存编号：FDAF62N28-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 10A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50UTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50UTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50UTM_WSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3-05
  仓库库存编号：IPI80N06S3-05IN-ND
  别名：IPI80N06S3-05-ND
  IPI80N06S3-05IN
  IPI80N06S305X
  IPI80N06S305XK
  SP000102214
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPI80N06S3L-05IN-ND
  别名：IPI80N06S3L-05-ND
  IPI80N06S3L-05IN
  IPI80N06S3L05X
  IPI80N06S3L05XK
  SP000102204
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S3-05
  仓库库存编号：IPP80N06S3-05IN-ND
  别名：IPP80N06S3-05-ND
  IPP80N06S3-05IN
  IPP80N06S305X
  IPP80N06S305XK
  SP000102213
  
  规格：功率耗散（最大值） 165W（Tc）,
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