规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH16P60P
仓库库存编号:
IXTH16P60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16P60P
仓库库存编号:
IXTT16P60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT20P50P
仓库库存编号:
IXTT20P50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20P50P
仓库库存编号:
IXTH20P50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE53NC50
仓库库存编号:
497-2776-5-ND
别名:497-2776-5
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP31N50LPBF
仓库库存编号:
IRFP31N50LPBF-ND
别名:*IRFP31N50LPBF
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50KPBF
仓库库存编号:
IRFP32N50KPBF-ND
别名:*IRFP32N50KPBF
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE40NC60
仓库库存编号:
497-3169-5-ND
别名:497-3169-5
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) TO-264
型号:
FQL40N50
仓库库存编号:
FQL40N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) TO-264
型号:
FQL40N50F
仓库库存编号:
FQL40N50F-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50P
仓库库存编号:
IXFH30N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N60P
仓库库存编号:
IXFH26N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 460W(Tc) TO-220AB(IXFP)
型号:
IXFP14N85X
仓库库存编号:
IXFP14N85X-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 460W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA14N85XHV
仓库库存编号:
IXFA14N85XHV-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N85X
仓库库存编号:
IXFH14N85X-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10045JLL
仓库库存编号:
APT10045JLL-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19F100J
仓库库存编号:
APT19F100J-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP76N25T
仓库库存编号:
IXTP76N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA76N25T
仓库库存编号:
IXTA76N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ76N25T
仓库库存编号:
IXTQ76N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH76N25T
仓库库存编号:
IXTH76N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50P
仓库库存编号:
IXTH30N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26N60P
仓库库存编号:
IXTH26N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N80P
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IXFH16N80P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 460W(Tc),
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