规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N60P
仓库库存编号：
IXTQ26N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV16N80P
仓库库存编号：
IXFV16N80P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50P
仓库库存编号：
IXFT30N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT16N80P
仓库库存编号：
IXFT16N80P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT30N50P
仓库库存编号：
IXTT30N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N60P
仓库库存编号：
IXTT26N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT6013JLL
仓库库存编号：
APT6013JLL-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP31N50L
仓库库存编号：
IRFP31N50L-ND
别名：*IRFP31N50L
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP32N50K
仓库库存编号：
IRFP32N50K-ND
别名：*IRFP32N50K
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 50A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 400V 50A（Tc） 460W（Tc） TO-264
型号：
FQL50N40
仓库库存编号：
FQL50N40-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV26N50P
仓库库存编号：
IXTV26N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV26N50PS
仓库库存编号：
IXTV26N50PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV30N50P
仓库库存编号：
IXTV30N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV30N50PS
仓库库存编号：
IXTV30N50PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV26N60P
仓库库存编号：
IXTV26N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV26N60PS
仓库库存编号：
IXTV26N60PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV30N50P
仓库库存编号：
IXFV30N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV30N50PS
仓库库存编号：
IXFV30N50PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV26N60P
仓库库存编号：
IXFV26N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV26N60PS
仓库库存编号：
IXFV26N60PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8024JLL
仓库库存编号：
APT8024JLL-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV16N80PS
仓库库存编号：
IXFV16N80PS-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
型号：
APT12067JLL
仓库库存编号：
APT12067JLL-ND
规格：功率耗散（最大值） 460W（Tc）,
含铅
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