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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF04T4
  仓库库存编号：497-3513-1-ND
  别名：497-3513-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0
  仓库库存编号：FDB035AN06A0CT-ND
  别名：FDB035AN06A0CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF04
  仓库库存编号：497-3524-5-ND
  别名：497-3524-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0
  仓库库存编号：FDB045AN08A0CT-ND
  别名：FDB045AN08A0CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3632
  仓库库存编号：FDP3632-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP047AN08A0
  仓库库存编号：FDP047AN08A0FS-ND
  别名：FDP047AN08A0-ND
  FDP047AN08A0FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP2907ZPBF
  仓库库存编号：IRFP2907ZPBF-ND
  别名：*IRFP2907ZPBF
  SP001571048
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0
  仓库库存编号：FDP038AN06A0-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4321PBF
  仓库库存编号：IRFP4321PBF-ND
  别名：SP001575756
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH3632
  仓库库存编号：FDH3632FS-ND
  别名：FDH3632-ND
  FDH3632FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP1405PBF
  仓库库存编号：IRFP1405PBF-ND
  别名：*IRFP1405PBF
  64-6010PBF
  64-6010PBF-ND
  SP001572614
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA28N50F
  仓库库存编号：FDA28N50F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA28N50
  仓库库存编号：FDA28N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632
  仓库库存编号：FDB3632CT-ND
  别名：FDB3632CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3ST_F085
  仓库库存编号：HUFA76645S3ST_F085CT-ND
  别名：HUFA76645S3ST_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75645S3ST
  仓库库存编号：HUF75645S3STCT-ND
  别名：HUF75645S3STCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532_F085
  仓库库存编号：FDB2532_F085CT-ND
  别名：FDB2532_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDB035AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDB035AN06A0_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDB045AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDB045AN08A0_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75645S3S
  仓库库存编号：HUFA75645S3SCT-ND
  别名：HUFA75645S3SCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA65N20
  仓库库存编号：FQA65N20FS-ND
  别名：FQA65N20-ND
  FQA65N20FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA44N30
  仓库库存编号：FQA44N30-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75645P3
  仓库库存编号：HUF75645P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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