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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50ND
  仓库库存编号：497-10026-1-ND
  别名：497-10026-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6060L
  仓库库存编号：NDB6060LCT-ND
  别名：NDB6060LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ469EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ469EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ469EP-T1-GE3CT
  SQJ469EP-T1-GE3CT-ND
  SQJ469EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L23ATMA3
  仓库库存编号：IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
  别名：IPD30N06S2L23ATMA3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD26NF10
  仓库库存编号：497-7963-1-ND
  别名：497-7963-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4020PBF
  仓库库存编号：IRFB4020PBF-ND
  别名：SP001564028
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP6060L
  仓库库存编号：NDP6060L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3GATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50N10S3L16AKSA1
  仓库库存编号：IPP50N10S3L16AKSA1-ND
  别名：IPP50N10S3L-16
  IPP50N10S3L-16-ND
  IPP50N10S3L16
  SP000407118
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP18N20F
  仓库库存编号：FDP18N20F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P60YRQCT-ND
  别名：TK290P60YRQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P65YRQCT-ND
  别名：TK290P65YRQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 23A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP23NQ11T,127
  仓库库存编号：1727-4642-ND
  别名：1727-4642
  568-5759
  568-5759-5
  568-5759-5-ND
  568-5759-ND
  934058501127
  PHP23NQ11T
  PHP23NQ11T,127-ND
  PHP23NQ11T-ND
  PHP23NQ11T127
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60D
  仓库库存编号：497-5244-1-ND
  别名：497-5244-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60P4LLF6
  仓库库存编号：497-15480-1-ND
  别名：497-15480-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6414ANT4G
  仓库库存编号：NTD6414ANT4GOSCT-ND
  别名：NTD6414ANT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD25NF10T4
  仓库库存编号：497-7962-1-ND
  别名：497-7962-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD16NF25
  仓库库存编号：497-7959-1-ND
  别名：497-7959-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD100NH02LT4
  仓库库存编号：497-4100-1-ND
  别名：497-4100-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60T4
  仓库库存编号：497-5386-1-ND
  别名：497-5386-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 19A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R5019ANJTL
  仓库库存编号：R5019ANJTLCT-ND
  别名：R5019ANJTLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ10HN06TL
  仓库库存编号：RSJ10HN06TLCT-ND
  别名：RSJ10HN06TLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50N
  仓库库存编号：497-5781-1-ND
  别名：497-5781-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ650N10TL
  仓库库存编号：RSJ650N10TLCT-ND
  别名：RSJ650N10TLCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
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