品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(29)
分立半导体产品
(29)
筛选品牌
Infineon Technologies (29)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4610TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4610TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610PBF
仓库库存编号:
IRFB4610PBF-ND
别名:*IRFB4610PBF
SP001570704
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 190W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4710PBF
仓库库存编号:
IRFP4710PBF-ND
别名:*IRFP4710PBF
SP001575990
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S209AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S209AKSA2-ND
别名:SP001061400
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S209ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S209ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S209ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L09ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L09ATMA2-ND
别名:SP001061720
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L09AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L09AKSA2-ND
别名:SP001061718
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名:SP001102592
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102622
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102616
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4610
仓库库存编号:
AUIRFB4610-ND
别名:SP001515858
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3507
仓库库存编号:
IRFB3507-ND
别名:*IRFB3507
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3507PBF
仓库库存编号:
IRFB3507PBF-ND
别名:*IRFB3507PBF
SP001565920
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610
仓库库存编号:
IRFB4610-ND
别名:*IRFB4610
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610
仓库库存编号:
IRFS4610-ND
别名:*IRFS4610
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3507
仓库库存编号:
IRFSL3507-ND
别名:*IRFSL3507
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610
仓库库存编号:
IRFSL4610-ND
别名:*IRFSL4610
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610PBF
仓库库存编号:
IRFSL4610PBF-ND
别名:*IRFSL4610PBF
SP001578448
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3507
仓库库存编号:
IRFS3507-ND
别名:*IRFS3507
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-09-ND
别名:SP000013582
SPB80N06S2L09T
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2-09-ND
别名:SP000013583
SPP80N06S209
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-09-ND
别名:SP000013580
SPP80N06S2L09
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3507TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3507TRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号