规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(168)
分立半导体产品
(168)
筛选品牌
Infineon Technologies (29)
IXYS (7)
Fairchild/ON Semiconductor (4)
STMicroelectronics (96)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (31)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP36N55M5
仓库库存编号：
497-13275-5-ND
别名：497-13275-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP34NM60ND
仓库库存编号：
497-11335-5-ND
别名：497-11335-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW34N65M5
仓库库存编号：
497-13123-5-ND
别名：497-13123-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
型号：
STP42N65M5
仓库库存编号：
497-8791-5-ND
别名：497-8791-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 16A
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB23N80K5
仓库库存编号：
497-16298-1-ND
别名：497-16298-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48PBF
仓库库存编号：
IRFZ48PBF-ND
别名：*IRFZ48PBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP048PBF
仓库库存编号：
IRFP048PBF-ND
别名：*IRFP048PBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 16A
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
型号：
STP23N80K5
仓库库存编号：
497-16319-5-ND
别名：497-16319-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 16A
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW23N80K5
仓库库存编号：
497-16331-5-ND
别名：497-16331-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
STB32NM50N
仓库库存编号：
497-13264-1-ND
别名：497-13264-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFSL11N50APBF
仓库库存编号：
IRFSL11N50APBF-ND
别名：*IRFSL11N50APBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI33N60M2
仓库库存编号：
497-15016-5-ND
别名：497-15016-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP17N62K3
仓库库存编号：
497-10711-5-ND
别名：497-10711-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STI34N65M5
仓库库存编号：
497-13439-ND
别名：497-13439
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW28NM60ND
仓库库存编号：
497-14202-5-ND
别名：497-14202-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350LCPBF
仓库库存编号：
IRFP350LCPBF-ND
别名：*IRFP350LCPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW26NM60ND
仓库库存编号：
497-14225-5-ND
别名：497-14225-5
STW26NM60ND-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP26NM60ND
仓库库存编号：
497-14219-5-ND
别名：497-14219-5
STP26NM60ND-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450LCPBF
仓库库存编号：
IRFP450LCPBF-ND
别名：*IRFP450LCPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP38N65M5
仓库库存编号：
497-13112-5-ND
别名：497-13112-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP34N65M5
仓库库存编号：
497-13111-5-ND
别名：497-13111-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30NM50N
仓库库存编号：
497-8795-5-ND
别名：497-8795-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30NM60N
仓库库存编号：
497-8457-5-ND
别名：497-8457-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB33N65M2
仓库库存编号：
497-15457-1-ND
别名：497-15457-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB21NK50Z
仓库库存编号：
497-8767-1-ND
别名：497-8767-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
