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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 26A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16135-1-ND
  别名：497-16135-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF20
  仓库库存编号：497-5957-1-ND
  别名：497-5957-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13N80K5
  仓库库存编号：497-13860-1-ND
  别名：497-13860-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15N80K5
  仓库库存编号：497-13423-1-ND
  别名：497-13423-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N60M2
  仓库库存编号：497-14969-1-ND
  别名：497-14969-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60M2
  仓库库存编号：497-14973-1-ND
  别名：497-14973-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 190W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK20J60U(F)
  仓库库存编号：TK20J60UF-ND
  别名：TK20J60U(F)-ND
  TK20J60UF
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB36NM60ND
  仓库库存编号：497-13861-1-ND
  别名：497-13861-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80N20M5
  仓库库存编号：497-10705-1-ND
  别名：497-10705-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28NM60ND
  仓库库存编号：497-14238-1-ND
  别名：497-14238-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26NM60ND
  仓库库存编号：497-14264-1-ND
  别名：497-14264-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB38N65M5
  仓库库存编号：497-13086-1-ND
  别名：497-13086-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34NM60ND
  仓库库存编号：497-12237-1-ND
  别名：497-12237-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW18NM80
  仓库库存编号：497-10085-5-ND
  别名：497-10085-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 550V 33A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW36N55M5
  仓库库存编号：497-13285-5-ND
  别名：497-13285-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR16P60P
  仓库库存编号：IXTR16P60P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR48P20P
  仓库库存编号：IXTR48P20P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF70
  仓库库存编号：497-10964-5-ND
  别名：497-10964-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP33N60DM2
  仓库库存编号：497-16352-5-ND
  别名：497-16352-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW33N60DM2
  仓库库存编号：497-16353-5-ND
  别名：497-16353-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28NM60ND
  仓库库存编号：497-14196-5-ND
  别名：497-14196-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S209AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S209AKSA2-ND
  别名：SP001061400
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N60DM2
  仓库库存编号：497-16354-1-ND
  别名：497-16354-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1R4N450
  仓库库存编号：IXTF1R4N450-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S209ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S209ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S209ATMA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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