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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NM80
仓库库存编号：
497-10117-1-ND
别名：497-10117-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NK50Z
仓库库存编号：
497-7515-5-ND
别名：497-7515-5
STP20NK50Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW32NM50N
仓库库存编号：
497-13284-5-ND
别名：497-13284-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW34NM60ND
仓库库存编号：
497-11366-5-ND
别名：497-11366-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW42N65M5
仓库库存编号：
497-8796-5-ND
别名：497-8796-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI33N65M2
仓库库存编号：
497-15551-5-ND
别名：497-15551-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP15N80K5
仓库库存编号：
497-13441-ND
别名：497-13441
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI175N4F6AG
仓库库存编号：
STI175N4F6AG-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP180N4F6
仓库库存编号：
STP180N4F6-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH180N4F6-2
仓库库存编号：
STH180N4F6-2-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NK80Z
仓库库存编号：
497-6737-5-ND
别名：497-6737-5
STP12NK80Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB34N65M5
仓库库存编号：
497-13085-1-ND
别名：497-13085-1
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP33N60M2
仓库库存编号：
497-14221-5-ND
别名：497-14221-5
STP33N60M2-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW33N60M2
仓库库存编号：
497-14293-5-ND
别名：497-14293-5
STW33N60M2-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13N95K3
仓库库存编号：
497-10772-5-ND
别名：497-10772-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP16NK65Z
仓库库存编号：
497-4119-5-ND
别名：497-4119-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc）
型号：
STW38N65M5-4
仓库库存编号：
STW38N65M5-4-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW36NM60ND
仓库库存编号：
497-13888-5-ND
别名：497-13888-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI42N65M5
仓库库存编号：
497-8899-5-ND
别名：497-8899-5
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48RPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RPBF-ND
别名：*IRFZ48RPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RSPBF-ND
别名：*IRFZ48RSPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP048RPBF
仓库库存编号：
IRFP048RPBF-ND
别名：*IRFP048RPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号：
IRFPC50LCPBF-ND
别名：*IRFPC50LCPBF
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 500V 13A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR20P50P
仓库库存编号：
IXTR20P50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 100V 57A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR90P10P
仓库库存编号：
IXTR90P10P-ND
规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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