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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.7A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF50
  仓库库存编号：IRFPF50-ND
  别名：*IRFPF50
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA2-ND
  别名：SP001061720
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA2-ND
  别名：SP001061718
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N10S405ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N10S405ATMA1-ND
  别名：SP001102592
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N10S405AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N10S405AKSA1-ND
  别名：SP001102622
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N10S405AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N10S405AKSA1-ND
  别名：SP001102616
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB4610
  仓库库存编号：AUIRFB4610-ND
  别名：SP001515858
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 7.3A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW8NB100
  仓库库存编号：497-2646-5-ND
  别名：497-2646-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14.6A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NB50
  仓库库存编号：497-2664-5-ND
  别名：497-2664-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450
  仓库库存编号：497-2735-5-ND
  别名：497-2735-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NB60
  仓库库存编号：497-2772-5-ND
  别名：497-2772-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW11NB80
  仓库库存编号：497-2789-5-ND
  别名：497-2789-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW16NK60Z
  仓库库存编号：497-3558-5-ND
  别名：497-3558-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB16NK65Z-S
  仓库库存编号：497-4098-5-ND
  别名：497-4098-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NK60Z
  仓库库存编号：497-4372-5-ND
  别名：497-4372-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4323-1-ND
  别名：497-4323-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP75N20
  仓库库存编号：497-5271-5-ND
  别名：497-5271-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW75N20
  仓库库存编号：497-5320-5-ND
  别名：497-5320-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75N20
  仓库库存编号：497-5313-1-ND
  别名：497-5313-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NM60N
  仓库库存编号：497-8447-5-ND
  别名：497-8447-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NM60ND
  仓库库存编号：497-8448-5-ND
  别名：497-8448-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW30NM60ND
  仓库库存编号：497-8458-5-ND
  别名：497-8458-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NM60N
  仓库库存编号：497-8474-1-ND
  别名：497-8474-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NM60ND
  仓库库存编号：497-8475-1-ND
  别名：497-8475-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 68V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 68V 80A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP75NF68
  仓库库存编号：STP75NF68-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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