规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP30NM50N
仓库库存编号:
497-8790-5-ND
别名:497-8790-5
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM50N
仓库库存编号:
497-8768-1-ND
别名:497-8768-1
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI30NM60N
仓库库存编号:
STI30NM60N-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80N20M5
仓库库存编号:
497-10715-5-ND
别名:497-10715-5
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 620V 15.5A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW17N62K3
仓库库存编号:
497-10717-5-ND
别名:497-10717-5
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW38N65M5
仓库库存编号:
497-13124-5-ND
别名:497-13124-5
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350
仓库库存编号:
IRFP350-ND
别名:*IRFP350
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
IRFP450IR-ND
别名:*IRFP450
IRFP450IR
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE50
仓库库存编号:
IRFPE50-ND
别名:*IRFPE50
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50
仓库库存编号:
IRFPG50-ND
别名:*IRFPG50
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
IRFP450X-ND
别名:IRFP450X
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 23A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP254
仓库库存编号:
IRFP254-ND
别名:*IRFP254
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP354
仓库库存编号:
IRFP354-ND
别名:*IRFP354
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450A
仓库库存编号:
IRFP450A-ND
别名:*IRFP450A
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450LC
仓库库存编号:
IRFP450LC-ND
别名:*IRFP450LC
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48R
仓库库存编号:
IRFZ48R-ND
别名:*IRFZ48R
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350LC
仓库库存编号:
IRFP350LC-ND
别名:*IRFP350LC
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL11N50A
仓库库存编号:
IRFSL11N50A-ND
别名:*IRFSL11N50A
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50LC
仓库库存编号:
IRFPC50LC-ND
别名:*IRFPC50LC
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP354PBF
仓库库存编号:
IRFP354PBF-ND
别名:*IRFP354PBF
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA19N20L
仓库库存编号:
FQA19N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA55N10
仓库库存编号:
FQA55N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 17.2A(Tc) 190W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA17N40
仓库库存编号:
FQA17N40-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13.4A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA13N50
仓库库存编号:
FQA13N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP250
仓库库存编号:
IRFP250-ND
规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
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