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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3507
  仓库库存编号：IRFB3507-ND
  别名：*IRFB3507
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3507PBF
  仓库库存编号：IRFB3507PBF-ND
  别名：*IRFB3507PBF
  SP001565920
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4610
  仓库库存编号：IRFB4610-ND
  别名：*IRFB4610
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4610
  仓库库存编号：IRFS4610-ND
  别名：*IRFS4610
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3507
  仓库库存编号：IRFSL3507-ND
  别名：*IRFSL3507
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4610
  仓库库存编号：IRFSL4610-ND
  别名：*IRFSL4610
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4610PBF
  仓库库存编号：IRFSL4610PBF-ND
  别名：*IRFSL4610PBF
  SP001578448
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3507
  仓库库存编号：IRFS3507-ND
  别名：*IRFS3507
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2-09-ND
  别名：SP000013581
  SPB80N06S209T
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013582
  SPB80N06S2L09T
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2-09-ND
  别名：SP000013583
  SPP80N06S209
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013580
  SPP80N06S2L09
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3507TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3507TRLPBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S209ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S209ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2-09
  IPB80N06S2-09-ND
  SP000218741
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-09
  IPB80N06S2L-09-ND
  SP000218743
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S209AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S209AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2-09
  IPP80N06S2-09-ND
  SP000218740
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-09
  IPP80N06S2L-09-ND
  SP000218742
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4610
  仓库库存编号：AUIRFS4610-ND
  别名：SP001522872
  
  规格：功率耗散（最大值） 190W（Tc）,
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