规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 129A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM033NA03CR RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 129A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM033NA03CR RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 129A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM033NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM033NA03CR RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM650N15CR RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CR RLGTR-ND
别名:TSM650N15CR RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM650N15CR RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CR RLGCT-ND
别名:TSM650N15CR RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM650N15CR RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CR RLGDKR-ND
别名:TSM650N15CR RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK768R1-40E,118
仓库库存编号:
1727-7257-1-ND
别名:1727-7257-1
568-9886-1
568-9886-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 96W(Tc) I-Pak
型号:
STD5NM60-1
仓库库存编号:
497-12786-5-ND
别名:497-12786-5
STD5NM60-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.9A(Tc) 96W(Tc) I-Pak
型号:
NDD03N80Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N80Z-1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7631-100E,118
仓库库存编号:
1727-1061-1-ND
别名:1727-1061-1
568-10170-1
568-10170-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9637-100E,118
仓库库存编号:
1727-1097-1-ND
别名:1727-1097-1
568-10252-1
568-10252-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 56A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC160N15NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC160N15NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC160N15NS5ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 9.6A(Tc) 96W(Tc) TO-3PF
型号:
IRFS450B
仓库库存编号:
IRFS450B-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R299CP
仓库库存编号:
IPB60R299CPCT-ND
别名:IPB60R299CPCT
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30A
仓库库存编号:
IRFB9N30A-ND
别名:*IRFB9N30A
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Ta) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP30N06LE
仓库库存编号:
RFP30N06LE-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30APBF
仓库库存编号:
IRFB9N30APBF-ND
别名:*IRFB9N30APBF
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) 96W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF7N80
仓库库存编号:
FQAF7N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.5A(Tc) 96W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF6N90
仓库库存编号:
FQAF6N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 96W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N50CFTM
仓库库存编号:
FQB5N50CFTMCT-ND
别名:FQB5N50CFTMCT
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7239-ND
别名:1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK968R3-40E,118
仓库库存编号:
568-9893-1-ND
别名:568-9893-1
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 40A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7528-55,127
仓库库存编号:
BUK7528-55,127-ND
别名:934050370127
BUK7528-55
BUK7528-55-ND
规格:功率耗散(最大值) 96W(Tc),
无铅
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