规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LAT4
仓库库存编号:
STV160NF02LAT4-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF03LAT4
仓库库存编号:
STV160NF03LAT4-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
型号:
STW36NM60N
仓库库存编号:
497-12369-ND
别名:497-12369
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20L
仓库库存编号:
FQA34N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N20
仓库库存编号:
FQA34N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 210W(Tc) TO-3P
型号:
FQA7N90M
仓库库存编号:
FQA7N90M-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 210W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90M_F109
仓库库存编号:
FQA7N90M_F109-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-262
型号:
IRL3716LPBF
仓库库存编号:
IRL3716LPBF-ND
别名:*IRL3716LPBF
SP001558060
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716PBF
仓库库存编号:
IRL3716PBF-ND
别名:*IRL3716PBF
SP001558646
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-07-ND
别名:SP000016357
SPB80N06S2L07T
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-07-ND
别名:SP000012823
SPP80N06S2L07
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRLPBF-ND
别名:SP001578504
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
规格:功率耗散(最大值) 210W(Tc),
无铅
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