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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28N65M2
  仓库库存编号：497-15559-5-ND
  别名：497-15559-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N65M2
  仓库库存编号：497-15575-5-ND
  别名：497-15575-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF4905STRLPBF
  仓库库存编号：IRF4905STRLPBFCT-ND
  别名：IRF4905STRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB11N50APBF
  仓库库存编号：IRFB11N50APBF-ND
  别名：*IRFB11N50APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF4905LPBF
  仓库库存编号：IRF4905LPBF-ND
  别名：64-2156PBF
  64-2156PBF-ND
  SP001563376
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3205ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF3205ZSTRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3205ZPBF
  仓库库存编号：IRF3205ZPBF-ND
  别名：*IRF3205ZPBF
  64-0096PBF
  64-0096PBF-ND
  SP001574672
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2807ZPBF
  仓库库存编号：IRF2807ZPBF-ND
  别名：*IRF2807ZPBF
  SP001574688
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP22N30
  仓库库存编号：FQP22N30-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60APBF
  仓库库存编号：IRFSL9N60APBF-ND
  别名：*IRFSL9N60APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1104PBF
  仓库库存编号：IRF1104PBF-ND
  别名：*IRF1104PBF
  SP001570050
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16489-5-ND
  别名：497-16489-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16490-5-ND
  别名：497-16490-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60DM2
  仓库库存编号：497-16350-5-ND
  别名：497-16350-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 68A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN013-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7104-1-ND
  别名：1727-7104-1
  568-9474-1
  568-9474-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN013-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4287-ND
  别名：1727-4287
  568-4976-5
  568-4976-5-ND
  934064291127
  PSMN013100PS127
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN8R7-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5898-ND
  别名：1727-5898
  568-7517-5
  568-7517-5-ND
  934064001127
  PSMN8R7-80PS,127-ND
  PSMN8R780PS127
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW15N95K5
  仓库库存编号：497-14291-5-ND
  别名：497-14291-5
  STW15N95K5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc）
  
  型号：GA10JT12-263
  仓库库存编号：1242-1186-ND
  别名：1242-1186
  GA10JT12-220ISO
  GA10JT12220ISO
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
  详细描述：表面贴装 25A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：GA10SICP12-263
  仓库库存编号：1242-1318-ND
  别名：1242-1318
  GA10SICP12-263-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 74A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP120N10
  仓库库存编号：FDP120N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3205Z
  仓库库存编号：AUIRF3205Z-ND
  别名：SP001518518
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 170W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB120N10
  仓库库存编号：FDB120N10CT-ND
  别名：FDB120N10CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 170W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK15J60U(F)
  仓库库存编号：TK15J60UF-ND
  别名：TK15J60U(F)-ND
  TK15J60UF
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF2807ZSTRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 170W（Tc）,
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