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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）
  
  型号：SIHP30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHP30N60E-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21N90K5
  仓库库存编号：497-12851-1-ND
  别名：497-12851-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：STB20N90K5
  仓库库存编号：497-17086-1-ND
  别名：497-17086-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB46N30M5
  仓库库存编号：497-14964-1-ND
  别名：497-14964-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP6N120P
  仓库库存编号：IXFP6N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34NM60N
  仓库库存编号：497-12236-1-ND
  别名：497-12236-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB25N80K5
  仓库库存编号：497-13640-1-ND
  别名：497-13640-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH12N120K5-2
  仓库库存编号：497-15425-1-ND
  别名：497-15425-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN030-150B,118
  仓库库存编号：1727-4772-1-ND
  别名：1727-4772-1
  568-5950-1
  568-5950-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04N G
  仓库库存编号：IPB015N04N GCT-ND
  别名：IPB015N04N GCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW21N90K5
  仓库库存编号：497-12873-5-ND
  别名：497-12873-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW34NM60N
  仓库库存编号：497-10975-5-ND
  别名：497-10975-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N60
  仓库库存编号：785-1191-5-ND
  别名：785-1191-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP48N20T
  仓库库存编号：IXTP48N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA46N15
  仓库库存编号：FQA46N15FS-ND
  别名：FQA46N15-ND
  FQA46N15FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310ZPBF
  仓库库存编号：IRFB4310ZPBF-ND
  别名：SP001570588
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP43N60DM2
  仓库库存编号：497-16342-5-ND
  别名：497-16342-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 190A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM190N08CZ C0G
  仓库库存编号：TSM190N08CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP90142E_GE3
  仓库库存编号：SQP90142E_GE3-ND
  别名：SQP90142E_GE3CT
  SQP90142E_GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 42A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：STW57N65M5-4
  仓库库存编号：497-13667-5-ND
  别名：497-13667-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI024N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI024N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680644
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16133-1-ND
  别名：497-16133-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW30N60E-GE3-ND
  别名：SIHW30N60E-GE3CT
  SIHW30N60E-GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L06ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S2L06ATMA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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