规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N50LPBF
仓库库存编号:
IRFPS40N50LPBF-ND
别名:*IRFPS40N50LPBF
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N60L2
仓库库存编号:
IXTH30N60L2-ND
别名:622201
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60L2
仓库库存编号:
IXTT30N60L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT36N50P
仓库库存编号:
IXFT36N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS43N50KPBF
仓库库存编号:
IRFPS43N50KPBF-ND
别名:*IRFPS43N50KPBF
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP34N65X2
仓库库存编号:
IXFP34N65X2-ND
别名:IXFP34N65X2X
IXFP34N65X2X-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXFH34N65X2
仓库库存编号:
IXFH34N65X2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS38N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS38N60LPBF-ND
别名:*IRFPS38N60LPBF
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT40N50L2
仓库库存编号:
IXTT40N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ36N50P
仓库库存编号:
IXTQ36N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N60P
仓库库存编号:
IXTH30N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N50P
仓库库存编号:
IXFH36N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N90P
仓库库存编号:
IXFH18N90P-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47M60J
仓库库存编号:
APT47M60J-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N85X
仓库库存编号:
IXFP20N85X-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-263(D2Pak-HV)
型号:
IXFA20N85XHV
仓库库存编号:
IXFA20N85XHV-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXFH20N85X
仓库库存编号:
IXFH20N85X-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N20L2
仓库库存编号:
IXTQ60N20L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N20L2
仓库库存编号:
IXTH60N20L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N20L2
仓库库存编号:
IXTT60N20L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT47F60J
仓库库存编号:
APT47F60J-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50L2
仓库库存编号:
IXTQ40N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA34N65X2
仓库库存编号:
IXFA34N65X2-ND
别名:IXFA34N65X2X
IXFA34N65X2X-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXTH34N65X2
仓库库存编号:
IXTH34N65X2-ND
规格:功率耗散(最大值) 540W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
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IXTQ30N60P-ND
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