规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP310N10F7
仓库库存编号:
497-13233-5-ND
别名:497-13233-5
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-6
仓库库存编号:
497-14719-1-ND
别名:497-14719-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP315N10F7
仓库库存编号:
497-14717-5-ND
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 315W(Tc) TO-220AB
型号:
STP165N10F4
仓库库存编号:
497-10710-5-ND
别名:497-10710-5
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 80V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP270N8F7
仓库库存编号:
497-13654-5-ND
别名:497-13654-5
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH275N8F7-2AG
仓库库存编号:
497-15473-1-ND
别名:497-15473-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH275N8F7-6AG
仓库库存编号:
497-15474-1-ND
别名:497-15474-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH180N10F3-6
仓库库存编号:
497-11840-1-ND
别名:497-11840-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH180N10F3-2
仓库库存编号:
497-11216-1-ND
别名:497-11216-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N8F7-2
仓库库存编号:
497-13873-1-ND
别名:497-13873-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH185N10F3-2
仓库库存编号:
497-15311-1-ND
别名:497-15311-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH185N10F3-6
仓库库存编号:
497-15469-1-ND
别名:497-15469-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH310N10F7-2
仓库库存编号:
497-13585-1-ND
别名:497-13585-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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型号:
STH310N10F7-6
仓库库存编号:
497-13586-1-ND
别名:497-13586-1
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
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MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP180N10F3
仓库库存编号:
497-11228-5-ND
别名:497-11228-5
规格:功率耗散(最大值) 315W(Tc),
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