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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Tc) 119W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0075120K
仓库库存编号:
C3M0075120K-ND
规格:功率耗散(最大值) 119W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 119W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR825TRPBF
仓库库存编号:
IRFR825TRPBFCT-ND
别名:IRFR825TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 119W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.1A(Tc) 119W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R280CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEAUMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 119W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 119W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 119W(Tc),
无铅
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