规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120NTRR
仓库库存编号：
IRFR9120NTRR-ND
别名：SP001576116
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73
仓库库存编号：
BUZ73IN-ND
别名：BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715Z
仓库库存编号：
IRLR3715Z-ND
别名：*IRLR3715Z
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZTR
仓库库存编号：
IRLR3715ZTR-ND
别名：SP001558456
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZTRL
仓库库存编号：
IRLR3715ZTRL-ND
别名：SP001558946
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZTRR
仓库库存编号：
IRLR3715ZTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZTR
仓库库存编号：
IRLR7807ZTR-ND
别名：SP001558476
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7807ZPBF
仓库库存编号：
IRLU7807ZPBF-ND
别名：*IRLU7807ZPBF
SP001568878
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3715ZPBF
仓库库存编号：
IRLU3715ZPBF-ND
别名：*IRLU3715ZPBF
SP001573148
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120NPBF
仓库库存编号：
IRFU9120NPBF-ND
别名：*IRFU9120NPBF
SP001568138
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZTRPBF
仓库库存编号：
IRLR3715ZPBFCT-ND
别名：*IRLR3715ZTRPBF
IRLR3715ZPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
型号：
BTS113ANKSA1
仓库库存编号：
BTS113ANKSA1-ND
别名：BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号：
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名：BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
型号：
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号：
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名：BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73E3046XK
仓库库存编号：
BUZ73E3046XK-ND
别名：BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A
仓库库存编号：
BUZ73AIN-ND
别名：BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号：
BUZ73AE3046XK-ND
别名：BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73AL
仓库库存编号：
BUZ73ALIN-ND
别名：BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73L
仓库库存编号：
BUZ73LIN-ND
别名：BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N20
仓库库存编号：
SPD07N20INCT-ND
别名：SPD07N20INCT
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZCPBF
仓库库存编号：
IRLR7807ZCPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZCTRRP
仓库库存编号：
IRLR7807ZCTRRP-ND
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715ZCTRLP
仓库库存编号：
IRLR3715ZCTRLPCT-ND
别名：IRLR3715ZCTRLPCT
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73HXKSA1-ND
别名：BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号：
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名：BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
无铅
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