规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6007ENX
仓库库存编号:
R6007ENX-ND
别名:R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA05N100
仓库库存编号:
IXTA05N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6009ENX
仓库库存编号:
R6009ENX-ND
别名:R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6011ENX
仓库库存编号:
R6011ENX-ND
别名:R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R8010ANX
仓库库存编号:
R8010ANX-ND
别名:R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6024ENX
仓库库存编号:
R6024ENX-ND
别名:R6024ENXCT
R6024ENXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6015ENX
仓库库存编号:
R6015ENX-ND
别名:R6015ENXCT
R6015ENXCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX510N25
仓库库存编号:
RCX510N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM6NB60CI C0G
仓库库存编号:
TSM6NB60CI C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
STD10PF06-1
仓库库存编号:
497-12781-5-ND
别名:497-12781-5
STD10PF06-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18NM80
仓库库存编号:
497-13081-5-ND
别名:497-13081-5
STF18NM80-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF57N65M5
仓库库存编号:
497-13103-5-ND
别名:497-13103-5
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N50NZTM
仓库库存编号:
FDD3N50NZTMCT-ND
别名:FDD3N50NZTMCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50TM_WS
仓库库存编号:
FDD5N50TM_WSCT-ND
别名:FDD5N50TM_WSCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N50NZF
仓库库存编号:
FDPF8N50NZF-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP212-TL-H
仓库库存编号:
869-1084-1-ND
别名:869-1084-1
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6007ENJTL
仓库库存编号:
R6007ENJTLCT-ND
别名:R6007ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6009ENJTL
仓库库存编号:
R6009ENJTLCT-ND
别名:R6009ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6020ENJTL
仓库库存编号:
R6020ENJTLCT-ND
别名:R6020ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6011ENJTL
仓库库存编号:
R6011ENJTLCT-ND
别名:R6011ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6024ENJTL
仓库库存编号:
R6024ENJTLCT-ND
别名:R6024ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6015ENJTL
仓库库存编号:
R6015ENJTLCT-ND
别名:R6015ENJTLCT
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60U(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60U(STA4QM)-ND
别名:TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Tc) 40W(Tc) TO-263
型号:
IXTA05N100HV
仓库库存编号:
IXTA05N100HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 100V 10A
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD10P10F6
仓库库存编号:
497-16300-1-ND
别名:497-16300-1
规格:功率耗散(最大值) 40W(Tc),
无铅
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