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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 17A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17F100S
  仓库库存编号：APT17F100S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT24M80S
  仓库库存编号：APT24M80S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 42A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT42F50S
  仓库库存编号：APT42F50S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 14A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT13F120S
  仓库库存编号：APT13F120S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 40A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL60N80P
  仓库库存编号：IXFL60N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N80P
  仓库库存编号：IXFN32N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 70A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL100N50P
  仓库库存编号：IXFL100N50P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL82N60P
  仓库库存编号：IXFL82N60P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD3
  仓库库存编号：IXFN64N50PD3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL80N50Q2
  仓库库存编号：IXFL80N50Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT80SM120S
  仓库库存编号：APT80SM120S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 57A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：FA57SA50LC
  仓库库存编号：FA57SA50LC-ND
  别名：*FA57SA50LC
  VS-FA57SA50LC
  VS-FA57SA50LC-ND
  VSFA57SA50LC
  VSFA57SA50LC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50
  仓库库存编号：FDH50N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 625W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10M09B2VFRG
  仓库库存编号：APT10M09B2VFRG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 625W（Tc）,
• 无铅
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