规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 55V 550A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK550N055T2
仓库库存编号:
IXTK550N055T2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 40V 600A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK600N04T2
仓库库存编号:
IXTK600N04T2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 220A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 220A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK220N15P
仓库库存编号:
IXFK220N15P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX170N20P
仓库库存编号:
IXFX170N20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 250A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX250N10P
仓库库存编号:
IXFX250N10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20P
仓库库存编号:
IXFK170N20P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 250A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK250N10P
仓库库存编号:
IXFK250N10P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX20N150
仓库库存编号:
IXTX20N150-ND
别名:Q6873231
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 82A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB82N60P
仓库库存编号:
IXFB82N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 170A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB170N30P
仓库库存编号:
IXFB170N30P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 52A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB52N90P
仓库库存编号:
IXFB52N90P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB44N100P
仓库库存编号:
IXFB44N100P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 80A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50Q3
仓库库存编号:
IXFX80N50Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX44N80Q3
仓库库存编号:
IXFX44N80Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK44N80Q3
仓库库存编号:
IXFK44N80Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 30A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB30N120P
仓库库存编号:
IXFB30N120P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 40A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110P
仓库库存编号:
IXFB40N110P-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK20N150
仓库库存编号:
IXTK20N150-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10DAM02G
仓库库存编号:
APTM10DAM02G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10SKM02G
仓库库存编号:
APTM10SKM02G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 180A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM50DAM17G
仓库库存编号:
APTM50DAM17G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 180A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM50SKM17G
仓库库存编号:
APTM50SKM17G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 372A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM20DAM04G
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APTM20DAM04G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1250W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 78A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM100DAM90G
仓库库存编号:
APTM100DAM90G-ND
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MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
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APTM100SKM90G
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