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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N170D2
  仓库库存编号：IXTT2N170D2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB190SA10
  仓库库存编号：VS-FB190SA10-ND
  别名：FB190SA10
  FB190SA10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 52A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL502J
  仓库库存编号：APL502J-ND
  别名：APL502JMI
  APL502JMI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 77A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT77N60JC3
  仓库库存编号：APT77N60JC3-ND
  别名：APT77N60JC3MI
  APT77N60JC3MI-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60Q3
  仓库库存编号：IXFR64N60Q3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 24A（Tc） 568W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN24N100
  仓库库存编号：IXFN24N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH140P10T
  仓库库存编号：IXTH140P10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH68P20T
  仓库库存编号：IXTH68P20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1700V 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH2N170D2
  仓库库存编号：IXTH2N170D2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 140A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140P10T
  仓库库存编号：IXTT140P10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT68P20T
  仓库库存编号：IXTT68P20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 70V 180A（Tc） 568W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX180N07
  仓库库存编号：IXFX180N07-ND
  别名：Q1150608
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 70V 180A（Tc） 568W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N07
  仓库库存编号：IXFK180N07-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 24A（Tc） 568W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX24N100
  仓库库存编号：IXTX24N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML60U12R020T1AG
  仓库库存编号：APTML60U12R020T1AG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 52A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 568W（Tc） SP1
  
  型号：APTML50UM90R020T1AG
  仓库库存编号：APTML50UM90R020T1AG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 55A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M80JVR
  仓库库存编号：APT60M80JVR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 568W（Tc）,
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