规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT37M100L
仓库库存编号:
APT37M100L-ND
别名:APT37M100LMI
APT37M100LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 50A(Tc) 1135W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN50N80Q2
仓库库存编号:
IXFN50N80Q2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT48M80L
仓库库存编号:
APT48M80L-ND
别名:APT48M80LMI
APT48M80LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT66F60B2
仓库库存编号:
APT66F60B2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT37M100B2
仓库库存编号:
APT37M100B2-ND
别名:APT37M100B2MI
APT37M100B2MI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT26F120L
仓库库存编号:
APT26F120L-ND
别名:APT26F120LMI
APT26F120LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT28M120B2
仓库库存编号:
APT28M120B2-ND
别名:APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT84M50L
仓库库存编号:
APT84M50L-ND
别名:APT84M50LMI
APT84M50LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT84M50B2
仓库库存编号:
APT84M50B2-ND
别名:APT84M50B2MI
APT84M50B2MI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT28M120L
仓库库存编号:
APT28M120L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 84A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT84F50B2
仓库库存编号:
APT84F50B2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT66M60B2
仓库库存编号:
APT66M60B2-ND
别名:APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 49A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT48M80B2
仓库库存编号:
APT48M80B2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 47A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT44F80L
仓库库存编号:
APT44F80L-ND
别名:APT44F80LMI
APT44F80LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 35A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34F100L
仓库库存编号:
APT34F100L-ND
别名:APT34F100LMI
APT34F100LMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66M60L
仓库库存编号:
APT66M60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66F60L
仓库库存编号:
APT66F60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 84A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT84F50L
仓库库存编号:
APT84F50L-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 47A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT44F80B2
仓库库存编号:
APT44F80B2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 35A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT34F100B2
仓库库存编号:
APT34F100B2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 27A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX?
型号:
APT26F120B2
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APT26F120B2-ND
别名:APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 50A(Tc) 1135W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB50N80Q2
仓库库存编号:
IXFB50N80Q2-ND
规格:功率耗散(最大值) 1135W(Tc),
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