规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL132N50P3
仓库库存编号:
IXFL132N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTH3N200P3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL210N30P3
仓库库存编号:
IXFL210N30P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH1N450HV
仓库库存编号:
IXTH1N450HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTT3N200P3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT2N300P3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
SMPD HIPERFETS & MOSFETS
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) Polar3?
型号:
MMIX1T132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1T132N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL1001J
仓库库存编号:
APL1001J-ND
别名:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 520W(Tc) SP1
型号:
APTML100U60R020T1AG
仓库库存编号:
APTML100U60R020T1AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4668PBF
仓库库存编号:
IRFP4668PBF-ND
别名:AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG80N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG80N60E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
AOK53S60L
仓库库存编号:
AOK53S60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
AOK53S60
仓库库存编号:
AOK53S60-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW73N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW73N60E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 37A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT37F50S
仓库库存编号:
APT37F50S-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG73N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG73N60E-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 650V 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG64N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG64N65E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH80N20L
仓库库存编号:
IXTH80N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2LLG
仓库库存编号:
APT5010B2LLG-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVRG
仓库库存编号:
APT20M22LVRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVFRG
仓库库存编号:
APT20M22LVFRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 50A(Tc) 520W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX50N50
仓库库存编号:
IXFX50N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 29A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL38N100P
仓库库存编号:
IXFL38N100P-ND
规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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