规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK90N25L2
仓库库存编号:
IXTK90N25L2-ND
别名:622089
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX90N25L2
仓库库存编号:
IXTX90N25L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK60N50L2
仓库库存编号:
IXTK60N50L2-ND
别名:622124
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK5N250
仓库库存编号:
IXTK5N250-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N120P
仓库库存编号:
IXFK26N120P-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 140A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK140N25T
仓库库存编号:
IXFK140N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX60N50L2
仓库库存编号:
IXTX60N50L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 960W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB80N50Q2
仓库库存编号:
IXFB80N50Q2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N50P2
仓库库存编号:
IXFH52N50P2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N50P2
仓库库存编号:
IXFT52N50P2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N100P
仓库库存编号:
IXFX32N100P-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK110N20L2
仓库库存编号:
IXTK110N20L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60Q3
仓库库存编号:
IXFN82N60Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 60W(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M80J
仓库库存编号:
APT58M80J-ND
别名:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 57A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT53F80J
仓库库存编号:
APT53F80J-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 103A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT100F50J
仓库库存编号:
APT100F50J-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-268HV
型号:
IXFT170N25X3HV
仓库库存编号:
IXFT170N25X3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N50P3
仓库库存编号:
IXFQ50N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N50P3
仓库库存编号:
IXFT50N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N60P3
仓库库存编号:
IXFN80N60P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX110N20L2
仓库库存编号:
IXTX110N20L2-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 49A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN62N80Q3
仓库库存编号:
IXFN62N80Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 82A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N50Q3
仓库库存编号:
IXFN100N50Q3-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号:
IXTX4N300P3HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX1R4N450HV
仓库库存编号:
IXTX1R4N450HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 960W(Tc),
不受无铅要求限制
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