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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN180N10
仓库库存编号：
IXFN180N10-ND
别名：479462
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 143A（Tc） 600W（Tc） SOT-227
型号：
APT100MC120JCU2
仓库库存编号：
APT100MC120JCU2-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH110N10L2
仓库库存编号：
IXTH110N10L2-ND
别名：624231
Q5291125
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN120N20
仓库库存编号：
IXFN120N20-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N90
仓库库存编号：
IXFN26N90-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ88N30P
仓库库存编号：
IXTQ88N30P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH88N30P
仓库库存编号：
IXTH88N30P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT140N10P
仓库库存编号：
IXTT140N10P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 24A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN24N100F
仓库库存编号：
IXFN24N100F-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN55N50F
仓库库存编号：
IXFN55N50F-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT110N10L2
仓库库存编号：
IXTT110N10L2-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N15P
仓库库存编号：
IXTQ120N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ140N10P
仓库库存编号：
IXTQ140N10P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ96N20P
仓库库存编号：
IXTQ96N20P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N20P
仓库库存编号：
IXTH96N20P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH120N15P
仓库库存编号：
IXFH120N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH140N10P
仓库库存编号：
IXFH140N10P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH96N20P
仓库库存编号：
IXFH96N20P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT88N30P
仓库库存编号：
IXFT88N30P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT120N15P
仓库库存编号：
IXTT120N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT96N20P
仓库库存编号：
IXTT96N20P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT120N15P
仓库库存编号：
IXFT120N15P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT140N10P
仓库库存编号：
IXFT140N10P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT96N20P
仓库库存编号：
IXFT96N20P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ100N25P
仓库库存编号：
IXTQ100N25P-ND
规格：功率耗散（最大值） 600W（Tc）,
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