品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(47)
分立半导体产品
(47)
筛选品牌
IXYS (47)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK100N25P
仓库库存编号:
IXTK100N25P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK88N30P
仓库库存编号:
IXTK88N30P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT100N25P
仓库库存编号:
IXTT100N25P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT88N30P
仓库库存编号:
IXTT88N30P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH88N30P
仓库库存编号:
IXFH88N30P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK88N30P
仓库库存编号:
IXFK88N30P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 156A(Tc) 600W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR230N20T
仓库库存编号:
IXFR230N20T-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN102N30P
仓库库存编号:
IXFN102N30P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N25
仓库库存编号:
IXFN100N25-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 280A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN280N07
仓库库存编号:
IXFN280N07-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 50A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN50N50
仓库库存编号:
IXFN50N50-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A DE475
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 550A(Tc) 600W(Tc) DE475
型号:
IXTZ550N055T2
仓库库存编号:
IXTZ550N055T2-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 25A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN25N90
仓库库存编号:
IXFN25N90-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 465A(Tc) 600W(Tc) DE475
型号:
IXFZ520N075T2
仓库库存编号:
IXFZ520N075T2-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 44A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N60
仓库库存编号:
IXFN44N60-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN23N100
仓库库存编号:
IXFN23N100-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 34A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N80
仓库库存编号:
IXFN34N80-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 168A(Tc) 600W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F230N20T
仓库库存编号:
MMIX1F230N20T-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 170A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N10
仓库库存编号:
IXFN170N10-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 150V 150A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN150N15
仓库库存编号:
IXFN150N15-ND
别名:Q3181657
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 96A(Tc) 600W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV96N20P
仓库库存编号:
IXFV96N20P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 48A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N55
仓库库存编号:
IXFN48N55-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 600W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号