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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN60N50L2
  仓库库存编号：IXTN60N50L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90N25L2
  仓库库存编号：IXTN90N25L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK52N60Q2
  仓库库存编号：IXFK52N60Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX52N60Q2
  仓库库存编号：IXFX52N60Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX60N55Q2
  仓库库存编号：IXFX60N55Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK60N55Q2
  仓库库存编号：IXFK60N55Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK38N80Q2
  仓库库存编号：IXFK38N80Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX38N80Q2
  仓库库存编号：IXFX38N80Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N80Q2
  仓库库存编号：IXFN38N80Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN110N20L2
  仓库库存编号：IXTN110N20L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK66N50Q2
  仓库库存编号：IXFK66N50Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN66N50Q2
  仓库库存编号：IXFN66N50Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX66N50Q2
  仓库库存编号：IXFX66N50Q2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 735W（Tc）,
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