规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(116)
分立半导体产品
(116)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA 150mW（Ta） SOT-723
型号：
SI3134K-TP
仓库库存编号：
SI3134K-TPMSCT-ND
别名：SI3134K-TPMSCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 540mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN2004TK-7
仓库库存编号：
DMN2004TK-7DICT-ND
别名：DMN2004TK-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-563
型号：
CMLDM8120 TR
仓库库存编号：
CMLDM8120 CT-ND
别名：CMLDM8120 CT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 150mW（Ta） SOT-563
型号：
CMLDM7120G TR
仓库库存编号：
CMLDM7120G CT-ND
别名：CMLDM7120G CT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
型号：
RE1C002UNTCL
仓库库存编号：
RE1C002UNTCLCT-ND
别名：RE1C002UNTCLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
型号：
RU1J002YNTCL
仓库库存编号：
RU1J002YNTCLCT-ND
别名：RU1J002YNTCLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V .2A USM
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3K7002BSU,LF
仓库库存编号：
SSM3K7002BSULFCT-ND
别名：SSM3K7002BFU(T5LFCT
SSM3K7002BFU(T5LFCT-ND
SSM3K7002BSULFCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
型号：
RU1C002UNTCL
仓库库存编号：
RU1C002UNTCLCT-ND
别名：RU1C002UNTCLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
型号：
SSM3K56FS,LF
仓库库存编号：
SSM3K56FSLFCT-ND
别名：SSM3K56FSLF(TCT
SSM3K56FSLF(TCT-ND
SSM3K56FSLFCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN5L06TK-7
仓库库存编号：
DMN5L06TKDICT-ND
别名：DMN5L06TKDICT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3K35MFV(TPL3)
仓库库存编号：
SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
别名：SSM3K35MFV(TPL3)CT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-F2
型号：
2SK3064G0L
仓库库存编号：
2SK3064G0LCT-ND
别名：2SK3064G0LCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
型号：
RTE002P02TL
仓库库存编号：
RTE002P02TLCT-ND
别名：RTE002P02TLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ES6
型号：
SSM6P16FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM6P16FE(TE85LF)CT-ND
别名：SSM6P16FE(TE85LF)CT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMN601TK-7
仓库库存编号：
DMN601TKDICT-ND
别名：DMN601TK-FCT
DMN601TK-FCT-ND
DMN601TK-FDICT
DMN601TK-FDICT-ND
DMN601TKDICT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 150mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
MMBF2201NT1G
仓库库存编号：
MMBF2201NT1GOSCT-ND
别名：MMBF2201NT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
型号：
SSM3K72CFS,LF
仓库库存编号：
SSM3K72CFSLFCT-ND
别名：SSM3K72CFSLFCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 0.1A USM
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
型号：
SSM3J15FU,LF
仓库库存编号：
SSM3J15FULFCT-ND
别名：SSM3J15FULFCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
型号：
RE1C001ZPTL
仓库库存编号：
RE1C001ZPTLCT-ND
别名：RE1C001ZPTLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
型号：
RU1C002ZPTCL
仓库库存编号：
RU1C002ZPTCLCT-ND
别名：RU1C002ZPTCLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
型号：
RZE002P02TL
仓库库存编号：
RZE002P02TLCT-ND
别名：RZE002P02TLCT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMP22D6UT-7
仓库库存编号：
DMP22D6UTDICT-ND
别名：DMP22D6UTDICT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
型号：
DMP2004TK-7
仓库库存编号：
DMP2004TKDICT-ND
别名：DMP2004TKDICT
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
型号：
RUE002N05TL
仓库库存编号：
RUE002N05TL-ND
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 70MA MCP
详细描述：表面贴装 P 沟道 70mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
型号：
5LP01M-TL-H
仓库库存编号：
5LP01M-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 150mW（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
