规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5)
分立半导体产品
(5)
筛选品牌
Nexperia USA Inc. (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138P,215
仓库库存编号:
1727-1142-1-ND
别名:1727-1142-1
568-10308-1
568-10308-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Tc) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008NBK,215
仓库库存编号:
1727-1220-1-ND
别名:1727-1220-1
568-10406-1
568-10406-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 230mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008PBK,215
仓库库存编号:
1727-1281-1-ND
别名:1727-1281-1
568-10499-1
568-10499-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138BK,215
仓库库存编号:
1727-1141-1-ND
别名:1727-1141-1
568-10307-1
568-10307-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 50V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 180mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS84AK,215
仓库库存编号:
1727-1144-1-ND
别名:1727-1144-1
568-10310-1
568-10310-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号